PL 
EN 
Opis
Fotoprzewodnictwo
Przewodnictwo elektryczne w ciałach stałych
Zależność temperaturowa rezystywności ρ jest prostym testem dla modeli
Przewodności elektrycznej przewodników i półprzewodników. W przewodnikach elektrycznych, ρ wzrasta wraz z temperaturą jako, że zderzenia quasi-swobodnych elektronów z pasma przewodzenia z atomami przewodnika odgrywają coraz większe znaczenie. W półprzewodnikach z drugiej strony, rezystywność zmniejsza się wraz ze wzrostem temperatury jako, że coraz więcej elektronów porusza się z pasma walencyjnego do pasam przewodzenia, tym samym przyczyniając się do przewodzenia.
P7.2.2.1 Pomiar wpływu temperatury na opornik ze szlachetnego metalu
P7.2.2.2 Pomiar wpływu temperatury na opornik półprzewodnikowy
Doświadczenia P7.2.2.1 i P7.2.2.2 mierzą wartości rezystancji w funkcji temperatury za pomocą mostka Wheatstonea. System akwizycji danych CASSY idealnie nadaje się do rejestracji i analizy pomiarów. Dla rezystora z metalu szlachetnego, zależność jest weryfikowana z wystarczającą dokładnością w badanym zakresie temperatur. Dla rezystora półprzewodnikowego, analiza ujawnia zależność w postaci z odstępem pasmowym E = 0.48 eV.
