P4.1.5 Tranzystory – Leybold

Tranzystory są najważniejszymi komponentami półprzewodnikowymi w technologii obwodów elektronicznych. Rozróżniamy tranzystory bipolarne, w których elektrony i dziury są zaangażowane w przewodzenie prądu oraz tranzystory polowe, w których prąd jest przesyłany wyłącznie przez elektrony. Elektrody tranzystorów bipolarnych są nazywane emiterem, bazą i kolektorem. Tranzystor składa się z trzech warstw n-przewodzących i p-przewodzących, w npn lub pnp. Warstwa bazowa, umieszczona pośrodku, jest tak cienka, że nośniki ładunków pochodzące z jednego złącza mogą przejść do drugiego złącza.

W tranzystorach polowych, przewodność kanału prądowego jest zmieniana za pomocą pola elektrycznego, bez przykładania mocy. Element generujący to pole nazywa się bramką. Elektroda wejściowa tranzystora polowego jest znana jako źródło a elektroda wyjściowa drenem.

Doświadczenie P4.1.5.1 bada zasadę tranzystora bipolarnego i porównuje go z diodą. Tutaj, badana jest wyraźna różnica pomiędzy tranzystorem npn i pnp.

Doświadczenie P4.1.5.2 bada właściwości tranzystora npn na podstawie ich charakterystyk. Doświadczenie to mierzy charakterystykę wejściową, tj. prąd bazy IB w funkcji napięcia baza-emiter UBE, charakterystykę wyjściową, tj. prąd kolektora IC w funkcji napięcia kolektor-emiter UCE przy stałym prądzie bazy IB oraz prąd kolektora IC w funkcji prądu bazy IB przy stałym napięciu kolektor-emiter UCE.